Infineon IMBF170R1K0M1 1700V SiC MOSFET三相功率转换器解决方案  

出　　处：《世界电子元器件》2022年第10期46-52,共7页Global Electronics China

摘　　要：Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSi^(TM)C1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-2637L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.器件最适合用在反激拓扑,12V/0V栅源极电压和大多数的反激控制器兼容,具有非常低的开关损耗,完全可控制d V/dt以适宜EMI优化.

关 键 词：表面安装器件 寄生电感 极电压 功率转换器 漏极 源极 栅源 爬电距离 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]