fF量级在片小电容定标方法及不确定度评定  被引量:1

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作  者:沙长涛[1] 黄英龙 

机构地区:[1]中国电子技术标准化研究院,北京100176

出  处:《工业计量》2022年第S01期53-56,共4页Industrial Metrology

摘  要:文章根据集成电路在片测试系统的组成结构和工作原理,以研制的集成电路fF (飞法)级在片小电容标准样片为基础,设计并制备了10 fF~500 fF系列在片小电容标准样片,处于国内领先水平。在有效减小电缆、探针影响的同时,研建了集成电路在fF级片小电容定值装置,研究了集成电路fF级在片小电容定标方法及不确定度评定。该方法可用于14 nm以下集成电路FinFET、 GGAFET器件及碳纳米管等新结构、新原理器件的研发过程中,确保超先进工艺制程研发中小于1 pF量级在片电容量值的准确可靠。

关 键 词:集成电路 飞法 在片 电容 定标 不确定度 

分 类 号:TN40[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386

 

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