量子隧道效应及其应用  

作　　者：祁玄玄 李小姣[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学,安徽 合肥 242000

出　　处：《中文科技期刊数据库(文摘版)自然科学》2016年第2期00042-00042,共1页

摘　　要：主要研究共振隧穿效应如何应用在二极管中,探究共振隧穿效应和势垒以及势阱宽度之间的关系,最后利用量子神经网络模型对未来国内量子共振隧穿理论发展做出预测评估。如何用量子隧穿原理来应用在二极管这个电子元件当中呢?当一个电子的能量低于势垒高度时,它仍可以隧穿通过势垒.在一定条件下,双势垒结构中电子的隧穿几率甚至可以接近一.利用这种共振隧穿现象可以做成共振隧穿二极管。因为 GaAs/AlAs 异质结构的形成,AlAs 的禁带宽度比 GaAs 大,他成为电子运动中的势垒,只有发射级端的费米能级和势阱高度 V0 有重叠区域时,才有电子进入势阱,根据波粒二象性,在势阱内发生透射和反射,电子之间相干,大大增加电子的隧穿概率,某些特殊能级的电子隧穿概率几乎为一,用此原理制成了伏安特性具有负微分性质的二极管,广泛应用在数字电路中,探究势垒宽度和势阱宽度如何对透射系数的影响,我们采用固定变量法,如分析势垒的影响固定其他变量不变,利用 MATLAB 做出不同条件下的对比图,得出准束缚态能级的数目很大程度上是由阱宽决定的,并对此作出假设,势阱的宽度影响电子波动的相干以及势阱内稳定能级的分布,因此对准束缚态能级的数目造成很大的影响。

关 键 词：共振隧穿 量子用法 应用 

分 类 号：TN401[电子电信—微电子学与固体电子学]