二次生长对ACNTs取向结构和性能的影响  

作　　者：兰竹瑶 季根顺[1] 

机构地区：[1]兰州理工大学材料科学与工程学院,甘肃 兰州 730000

出　　处：《中国科技期刊数据库 科研》2016年第7期00157-00158,共2页

摘　　要：采用二次生长工艺(CVI)在碳纳米管垂直阵列表面沉积热解炭,结果表明二次生长后碳纳米管的管束增粗,随生长时间的增加,阵列密度增大、孔隙率下降,有序度和结晶度逐渐降低,结构缺陷逐渐增多;碳纳米管阵列的比电容逐渐下降,倍率特性逐次增强,硬度增大,压缩模量增强,生长10h的压缩模量是原阵列的8倍多。

关 键 词：碳纳米管垂直阵列 二次生长 取向结构 性能 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]