半导体放大器在连续脉冲作用下的损伤特性分析  

作　　者：吴小松 张荣荣 张鹏 

机构地区：[1]贵州航天计量测试技术研究所

出　　处：《信息周刊》2020年第11期0167-0168,共2页

摘　　要：本文简述了半导体放大器在连续脉冲作用下,放大器增益的降级水平与脉冲重复频率相关。对于十纳秒级的微波脉冲,放大器的损伤主要是由半导体器件热二次击穿造成的器件烧毁。由此分析了半导体放大器的热损伤效应,并给出了连续脉冲作用下半导体放大器可能存在的三种损伤模式。基于一维热传导模型,研究了连续脉冲作用期间半导体放大器结点温度变化与脉冲重复频率之间的关系,建立了脉冲重复频率与损伤模式之间的关系,并且理论计算结果与实验结果基本一致。

关 键 词：半导体放大器 脉冲重复频率 损伤模式 热传导模型 

分 类 号：G[文化科学]