线圈结构对区熔硅单晶生长影响的数值模拟分析  

作　　者：安艳清 张雪囡 

机构地区：[1]天津中环半导体股份有限公司,天津 300384

出　　处：《中文科技期刊数据库(引文版)工程技术》2020年第5期00296-00297,共2页

摘　　要：为了研究大直径区熔硅单晶,需要对单晶生长过程中的关键参数如电磁场、温度梯度等进行合理设计,以实现大直径硅单晶的稳定生长。本文设计了一种新型的台阶线圈结构,通过数值仿真软件COMSOL进行分析,进而得知采用台阶结构的加热线圈可以提高多晶硅熔化表面产生的电磁热分布的均匀性,实验验证可明显改善单晶生长过程中“尖刺”和线圈“打火”等现象,进而提高单晶生长的成功率和稳定性。

关 键 词：区熔硅 集肤效应 电磁感应 线圈 

分 类 号：F426.1[经济管理—产业经济]