不同窗口层结构的碲化镉太阳电池的变温暗IV  

作　　者：杨顺 

机构地区：[1]乐山职业技术学院新能源工程系

出　　处：《山海经》2021年第3期0058-0060,共3页

摘　　要：本文研究了对于不同窗口层结构的碲化镉电池进行温度相关的暗态电流电压(I?-?V:T)测试的结果。本研究目的是通过不同窗口层碲化镉电池的几种典型结构的变温暗IV数据来分析分析窗口层/碲化镉界面钝化、空间电荷区内缺陷的情况。在300K时,从各器件结构的二极管影响因子分析占优势的复合机制。CdS/CdTe器件的传输机制似乎被界面复合所主导。MZO/CdTe器件的传输机制似乎被CdTe中性区复合所主导。CdSe/CdTe器件的传输机制似乎被隧穿效应所主导。通过变温IV测试计算出各器件的激活能。CdS/CdTe器件的激活能是1.19eV。MZO/CdTe器件的激活能是0.55eV。CdSe/CdTe器件的激活能是0.525eV。

关 键 词：碲化镉电池 不同窗口层 复合 二极管 理想因子 

分 类 号：I[文学]