基于CMOS的ESD保护电路及版图的研究  

作　　者：朱传坤 刘佳祥 房加亮 

机构地区：[1]临沂大学

出　　处：《休闲》2020年第28期0230-0230,共1页

摘　　要：静电释放是集成电路在制造运输以及使用过程中经常发生并导致 IC 芯片损坏或失效的重要原因之一。据有关调查表 明导致集成电路芯片损坏或失效的原因中有百分之四十是静电释放的原因。因此为了获得更好更可靠的 IC 芯片,DES 问题的解决 就显得尤为重要。静电释放 ESD 是会给电子器件带来破坏性的后果,有的破坏甚至是不可逆的,所以它是造成集成电路失效的主 要原因之一。本文主要讨论了基于 CMOS 的 ESD 保护电路的必要性,同时对 CMOS 电路中 ESD 保护的原理进行了研究介绍,优 化电路的设计,并完成电路的仿真验证。之后进行其版图的设计,分析了该结构对对版图的相关要求。同时进行版图的 drc 和 lvs 验证。

关 键 词：静电释放 集成电路 COMS电路 

分 类 号：G[文化科学]