大直径砷化镓发展趋势及应用  

作　　者：李春龙[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2021年第7期120-121,共2页

摘　　要：砷化镓是近年来发展最成熟的一种化合物半导体材料;相较于硅材料;其拥有的禁带宽(1.42eV)、高电子迁移率(8500cm2/V;v?s)、高电子饱和漂移速度;以及直接带隙特征的能带结构等应用优越性在微电子、光电子领域获得了日益广泛的应用。当前;关于砷化镓材料的相关先进生产应用技术基本掌握在日本、德国等工业强国手中;国内企业在砷化镓生产技术上仍与国际大公司存在较大差异;必须通过不断研究;逐步实现砷化镓衬底大直径、高几何精度发展;使其能为我国通讯、航天、军事等行业发展做出重要贡献。

关 键 词：大直径砷化镓 发展趋势 应用 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]