CVD成膜温度对铝薄膜小丘生成的影响  

作　　者：方兴 付学群 高平羽 

机构地区：[1]南京中电熊猫液晶显示科技有限公司,江苏南京210000

出　　处：《中文科技期刊数据库（引文版）工程技术》2021年第8期262-264,共3页

摘　　要：纯铝薄膜作为金属电极在TFT-LCD中应用较广,但因其在高温制程中易诱发产出小丘,对良率造成较大影响。本文主要通过光学精密显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和集束离子注加工装置(FIB)观察小丘形貌,利用SL点灯装置分析小丘对产品造成的不良类型,得出与常规铝穿刺绝缘层造成绝缘层断裂或互连线间短路不同,此类小丘,铝与GT绝缘膜相互卷曲包裹而形成凸起。设计不同CVD镀膜温度实验,观察小丘发生状况,当CVD成膜温度由370℃降至340℃时,可得到几乎表面无小丘的产品。

关 键 词：小丘 纯铝薄膜 CVD成膜温度 

分 类 号：TH16[机械工程—机械制造及自动化]