新型二维半导体异质结SnS/GeSe光电性质理论的研究  

作　　者：王玉平 

机构地区：[1]新乡学院物理与电子工程学院,河南新乡453000

出　　处：《移动信息》2022年第5期27-29,共3页MOBILE INFORMATION

基　　金：河南省教育厅骨干教师“二维GeS和GeSe材料能带结构和光电性质”(项目编号:2019GGJS248)。

摘　　要：2004 年石墨烯首次被剥离出来后,因为其新奇的物理性质和电子结构,促使人们对此类二维材料进行实验和理论研究。自此,开启了一扇基于二维材料理论与实验研究的大门。文章采用第一性原理计算方法,研究了Ⅳ - Ⅵ族(GeSe/SnS)二维半导体材料的电子性质、力学性质以及范德瓦尔斯异质结的物理结构和光学性质,考虑了外加平面内应变对其电子结构的影响。计算结果表明,外加面内应力可以很好地调控它们的带隙,从而影响它们的导电性能。文章的此次研究希望能够对于特定频率光吸收的二维光吸收薄膜的开发提供一定的理论支撑。

关 键 词：二维材料 光吸收 异质结 第一性原理计算 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]