硅基异质结太阳能电池TCO层的研究进展  

作　　者：刘雪莲 王娜[1] 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心,北京100160

出　　处：《中文科技期刊数据库（全文版）自然科学》2023年第8期109-111,共3页

摘　　要：硅基异质结太阳能电池的TCO层位于掺杂的非晶硅层或微晶硅和金属电极之间,TCO层的形成方法、TCO层与掺杂的非晶硅层或微晶硅的界面以及TCO层外表面特性都对硅基异质结太阳能电池的性能产生较大的影响,优化TCO层的沉积工艺、在TCO层与掺杂的非晶硅层或微晶硅的界面形成缓冲层、调整TCO层的功函数以及在TCO层的外表面形成功能层,这是近年来对TCO层的主要改进方式。

关 键 词：硅基异质结太阳能电池 TCO层 透明导电氧化物层 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]