碳化硅外延生长及其缺陷分析  

作　　者：区灿林 

机构地区：[1]比亚迪汽车工业有限公司,广东深圳518118

出　　处：《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2023年第11期077-080,共4页

摘　　要：本文从碳化硅同质外延生长原理及其缺陷分析的角度,介绍了碳化硅外延技术的最新研究情况。碳化硅外延生长主要使用台阶流动控制生长方法来得到高结晶质量以及厚度、掺杂浓度、缺陷密度都可控的碳化硅单晶薄膜层。外延生长阶段主要关注的缺陷有位错、堆垛层错、三角形、掉落物、彗星尾、胡萝卜等,这些缺陷对功率器件的性能和可靠性有着不同程度的影响。

关 键 词：碳化硅外延 台阶流生长 位错 缺陷 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]