激光解键合工艺技术研究  

作　　者：温海涛 徐晓伟 

机构地区：[1]沈阳芯源微电子设备股份有限公司,辽宁沈阳110169

出　　处：《中国科技期刊数据库 工业A》2024年第4期0029-0033,共5页

摘　　要：在摩尔定律步伐放缓的大背景下,晶圆级封装技术更是向着高密度、超薄、超小和更高性能的方向突破,如PoP、扇出型(Fan out)集成以及采用TSV的2.5D和3D集成等封装技术。随着上述封装技术的蓬勃发展,行业内对超薄器件晶圆的拿持问题提出了新的需求和挑战,由于超薄器件晶圆具有柔软性和易碎性,因此需要一种拿持系统和支撑系统确保薄晶圆可以在工艺设备上进行加工,在扇出型集成封装工艺中,重构的塑封料晶圆翘曲较大,也需要临时支撑系统来提高封装精度。无论是晶圆的深度减薄还是先进封装,临时键合和解键合工艺作为晶圆拿持和支撑技术的关键解决方案,能够和现有的半导体工艺很好的融合。激光解键合技术具备低温、不伤晶圆等技术特点。本文重点就激光解键合技术展开研究。

关 键 词：激光 解键合 翘曲 

分 类 号：TN24[电子电信—物理电子学]