晶体硅太阳电池中载流子选择性接触材料探析  

作　　者：董焕苗 

机构地区：[1]浙江鸿禧能源股份有限公司,浙江嘉兴314000

出　　处：《中文科技期刊数据库（文摘版）工程技术》2025年第1期099-102,共4页

摘　　要：随着科技的不断发展,晶体硅太阳电池逐渐取得众多企业的青睐。传统电池结构中,由于接触界面处存在复合损失,导致电池整体效率难以再有显著提升。因此,如何减少接触界面损失,成为困扰众多学者的课题之一。本文重点阐述了晶体硅太阳电池基本原理、PEDOT:PSS的空穴选择性接触性能分析、过渡金属氧化物的空穴选择性接触性能分析、碱金属乙酸盐电子选择性接触性能分析以及氧化锌的掺杂及其电子选择性分析,以期推动光伏产业的发展。

关 键 词：晶体硅太阳电池 载流子 选择性接触材料 

分 类 号：TQ127.2[化学工程—无机化工]