Si基毫米波共面波导建模  

Si-based Millimeter-Wave CPW Modeling

作　　者：黎庶[1] 胡嘉杰[1] 王文骐[1] 

机构地区：[1]上海大学通信与信息工程学院,200072

出　　处：《微计算机信息》2008年第1期192-194,共3页Control & Automation

基　　金：上海-应用材料研究与发展基金资助(No.0506)由上海市科学技术委员会与美国应用材料公司共同设立

摘　　要：本文阐述了毫米波CMOS集成电路的关键技术之一,Si基共面波导(CPW)的机理和等效电路模型。通过电磁仿真(HFSS软件)提取CPW的S参数并计算相应的分布参数,建立了基于硅衬底的标准0.18μmCMOS工艺的毫米波CPW模型。实现了频率可达40GHz,特性阻抗分别为36、50和70Ω的CPW元件库。This paper describes one of the key technologies of the mm- wave CMOS integrated circuits, the mechanism and the equiva- lent circuits model of the Si substrate based mm- wave coplanar waveguide (CPW). The S- parameters of the CPW are estimated by EM simulation ( software HFSS ) with the correspondent distributed parameters calculated also. Based on a Si substrate in standard 0.18μm CMOS process, the model of the mm- wave CPW is established. The CPW element library is achieved with the frequency up to 40 GH...

关 键 词：共面波导 毫米波 CMOS 建模 

分 类 号：TP391.9[自动化与计算机技术—计算机应用技术]