增益可控CMOS低噪声放大器  

Gain-controlled CMOS Low Noise Amplifier

作　　者：胡嘉盛[1] 李巍[1] 任俊彦[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203

出　　处：《固体电子学研究与进展》2007年第2期207-212,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：上海市信息委/经委2003年促进整机业与集成电路设计联动专项基金(编号为04-联专-004)

摘　　要：设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,并提出了优化措施。芯片测试结果表明:在1.56GHz中心频率下,-3dB带宽约为150MHz,输出最大电压增益为27dB,此时噪声系数NF约为2.33dB,IIP3约为4.0dBm,可变增益范围为7dB。在3.3V电源电压下消耗电流8.2mA。此设计方法可以应用到诸如GSM、GPS等无线接收机系统中。A gain-controlled low-noise differential amplifier(LNA) in NMOS cascoding topology,is presented based on SMIC 0.18 μm RF CMOS technology.With the ESD protected pad,the impedance matching,controlled voltage gain,NF and IIP3 of cascading system are discussed and optimized.Measurement results show that the LNA has maximum forward voltage gain of 27 dB,NF of 2.33 dB,IIP3 about 4.0 dBm and the voltage variation range of 7 dB at the central frequency of 1.56 GHz with a fairly wide-3 dB bandwidth of 150 MHz,while ...

关 键 词：互补金属氧化物半导体射频集成电路 低噪声放大器 可变增益控制 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]