检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:王治国[1] 祖小涛[1] 封向东[2] 余华军[1] 傅永庆
机构地区:[1]电子科技大学应用物理系,成都610054 [2]四川大学物理系,成都610064 [3]南洋理工大学
出 处:《航空材料学报》2006年第4期61-64,共4页Journal of Aeronautical Materials
基 金:国家自然科学基金(10175042)
摘 要:利用磁控溅射的方法在单晶S i和非晶S iO2基片上制备了TiN i和TiN iCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化。研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景。TiN i薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiN iCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变。基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响。单晶S i片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而S iO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落。In this work,TiNi and TiNiCu shape memory alloy films on Si and SiO_2 substrate were successfully prepared by co-sputtering of TiNi target with a separated Cu and Ti target.The transformation behavior and stress as a function of temperature were investigated by differential scanning calorimeter(DSC) and curvature measurement methods.The results showed that the shape memory alloy film has a good shape memory effect,which was a promising candidate material for micro-electric mechanical system.For TiNi shape m...
关 键 词:TiNi基形状记忆合金薄膜 相变特征 示差扫描量热法(DSC) 基片曲率法
分 类 号:TB381[一般工业技术—材料科学与工程]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.117