H^+离子敏场效应传感器的SPICE模型仿真分析  

The SPICE Model for H^+ Ion-sensitive Field Effect Transistor

作　　者：高俊山[1] 林国锋[1] 孙真和[1] 

机构地区：[1]哈尔滨理工大学,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《自动化技术与应用》2007年第1期106-107,79,共3页Techniques of Automation and Applications

摘　　要：本文从离子敏场效应晶体管(ISFET)的传感机理出发,利用计算机辅助设计软件(SPICE)建立了ISFET的物理模型。借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据取得了良好的一致性。This paper presents a SPICE model of Ion-sensitive field effect transistor (ISFET) based on the computer aided design tool(SPICE)Simulation results are given.

关 键 词：器件模型 离子敏场效应晶体管 计算机辅助设计 

分 类 号：TP212.9[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]