巨磁阻抗磁传感器的研究进展  

Progress in Study of Magnetic Sensors Utilizing Giant Magneto-impedance Effect

作　　者：蒋颜玮[1] 房建成[1] 盛蔚[1] 黄学功[1] 

机构地区：[1]北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京100083

出　　处：《仪表技术与传感器》2008年第5期1-6,共6页Instrument Technique and Sensor

摘　　要：基于巨磁阻抗效应(GMI)的磁传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一。采用非晶或纳米晶材料可以制备丝、薄带、薄膜和多层膜等不同的形态,利用它们的GMI效应制成GMI磁传感器,其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗。叙述了巨磁阻抗磁传感器的研究进展,分别以非晶丝和多层膜为敏感元件的GMI磁传感器为例,着重对传感器的敏感材料、结构形式、处理电路及性能做了介绍,并指出了GMI磁传感器目前存在的问题及将来的发展趋势。Magnetic sensor based on the giant magneto-impedance effect(GMI) is one of the hot points on magnetic sensor research in recent years.Different forms such as wires,ribbons,films and multilayer films can be prepared using amorphous or nano-crystalline materials,which can be made into GMI magnetic sensors utilizing their GMI effect.The outstanding advantage of GMI magnetic sensor is its miniaturization,high sensitivity,quick response,high temperature stability and low power consumption.This paper mainly descr...

关 键 词：巨磁阻抗(GMI) 磁传感器 非晶丝 多层膜 

分 类 号：TP212.1[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]