半导体碳基薄膜的巨磁电阻和电致电阻  

作　　者：章晓中[1] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,北京100084

出　　处：《功能材料信息》2007年第5期23-,共1页Functional Materials Information

摘　　要：发明了一类新型磁阻材料——沉积于硅基片上的金属掺杂的纳米半导体非晶碳基薄膜材料,它们具有优异的低场磁电阻效应,在磁场为2.388×10~4A/m时,磁阻可达30%以上,灵敏度可以与自旋阀结构的GMR材料相比美。这些材料还有优异的电致电阻效应,在室温时,它们的电致电阻可达70000%。新材料还有新颖的电磁特性,如它们的磁阻可正可负,具有电流-电压曲线的不可逆性,微分负电阻效应。研制的这类材料不仅有新颖的物理特性,具有很大的科学研究价值,而且它们的某些物性已达到了应用的程度,可望在信息工业上(高密度读出磁头、磁传感器、电学量传感器、场效应器件、温度敏感器件等领域)获得应用。

关 键 词：金属掺杂 碳基薄膜 巨磁电阻 电致电阻 

分 类 号：TB381[一般工业技术—材料科学与工程]