自旋角动量转移矩效应  

作　　者：姜勇[1] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理与化学系,北京100083

出　　处：《功能材料信息》2007年第5期26-,共1页Functional Materials Information

摘　　要：1996年,Slonczewski和Berger理论预测出,当自旋极化电流穿过一层纳米尺寸(<100nm)的铁磁体薄膜或一个磁性纳米柱时,由于所产生的自旋角动量转移矩(简称STT),电流可以在铁磁膜中产生磁激发甚至引起铁磁膜磁化方向的翻转。为了克服铁磁体中磁阻尼矩,外加电流所需要的临界电流密度一般都在10~7A/cm^2以上。近年来,对这种电流诱导磁化翻转(简称CIMS)行为的研究引起人们广泛的关注,因为CIMS技术在磁随机存储器中的使用不仅可以降低写电流能量损耗,从而大幅度提高存储密度,而且还可以大大简化磁随机存储器的结构。自1998年以来,人们已经先后在铁磁薄膜、自旋阀和铁磁性隧道结中观测到STT效应。CIMS所需要的临界电流很高,很容易破坏磁性纳米结构,因此业界一直也在致力于降低CIMS临界电流。目前CIMS的临界电流密度已经被降低到10~6A/cm^2左右。这就为STT效应在铁磁性隧道结中的应用提供了可能。STT效应还会产生持久磁进动现象,伴随着自旋波的激发,铁磁体会释放出微波。这种STT诱导微波行为可能会带来新型非机械型纳米微波器件。本报告主要综述近几年来国际上在STT研究方面的重要结果。

关 键 词：STT效应 CIMS技术 磁进动现象 

分 类 号：TB381[一般工业技术—材料科学与工程]