一种制备氧化钒薄膜的新工艺  

A New Method for Preparation of Vanadium Oxide Thin Film

作　　者：王宏臣[1] 易新建[1] 黄光[2] 肖静[1] 陈四海[1] 

机构地区：[1]华中科技大学光电子工程系,湖北武汉430074 [2]华中科技大学图像识别与人工智能教育部重点实验室,湖北武汉430074

出　　处：《半导体光电》2003年第4期280-282,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60106003);华中科技大学研究生科技创新基金资助项目 (YCJ- 0 2 - 0 0 3 ).

摘　　要：　采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和0.021K-1。Mixed phase vanadium oxide thin films with high temperature coefficient of resistance (TCR) are made on Si and Si3N4 substrates using a new method. The tests indicate that the square resistance and TCR of the vanadium oxide thin film (50 nm) are 50 kΩ and 0.021 K-1 at room temperature, respectively. 

关 键 词：红外探测器 氧化钒薄膜 离子束溅射淀积 热敏薄膜 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]