AlAs/AlGaAs的湿氧氧化及其在VCSEL制备中的应用  

Wet Oxidation of AlAs/AlGaAs and Its Application in VCSEL Fabrication

作　　者：黄静[1] 郭霞[1] 渠红伟[1] 廉鹏[1] 朱文军[1] 邹德恕[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学北京光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《半导体光电》2003年第5期341-343,349,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家973计划资助项目(G20000683-3)

摘　　要：根据制备垂直腔面发射激光器 (VCSEL)电流限制层的需要 ,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响 ,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件 ;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析 ,得到解决或改善方案。比较AlAs和Al0 .98Ga0 .0 2 As氧化特性及氧化后的热稳定性 ,结果表明Al0 .98Ga0 .0 2 As较AlAs更适于作VCSEL电流限制层。将优化的氧化条件及材料参数应用于VCSEL制备 ,得到室温连续工作的VCSEL器件 ,其阈值电流为 0 .8mA ,激射波长为 980nm ,工作电流为 15mA时输出功率可达 3.2mW。The wet oxidation of buried AlGaAs and AlAs for VCSEL fabrication is investigated. The oxidation character and the dependence of oxidation rate on the temperature, Al content and crystal orientation are described in detail, accordingly the optimized parameters and oxidation conditions are obtained. Approaches are proposed to eliminate the delamination and poor Ohm contact appearing during oxidation. The oxidation process of AlAs and Al0.98Ga0.02As and their stability after oxidation are analyzed. It i...

关 键 词：VCSEL ALGAAS 氧化 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]