掺Er Al_2O_3光波导薄膜材料的制备及光学特性  

Preparation and Characteristics of Er-doped Al_2O_3 Waveguide Films

作　　者：李淑凤[1] 宋昌烈[1] 李成仁[1] 饶文雄[1] 雷明凯[2] 

机构地区：[1]大连理工大学物理系 [2]大连理工大学材料系

出　　处：《半导体光电》2003年第5期344-349,共6页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(69889701);辽宁省科技厅资助项目 (2 0 0 2 2 1 1 0 )

摘　　要：　介绍了掺ErAl2O3光波导薄膜的四种典型制备方法的研究结果。比较铒的发光环境和发光特性,分析了影响光致发光强度和寿命的条件和因素。不同工艺制得的Er∶Al2O3薄膜,膜内成分、膜的晶相、掺杂浓度等对Er3+的发光特性均有影响。退火对发光特性及材料具有改善作用。Preparation methods and photoluminescence of Erdoped Al2O3 waveguide films are reviewed. Different processes and factors such as OH- level, Er concentration, film structure and thermal annealing affectting photoluminescence intensity and lifetime of Erdoped films are analyzed

关 键 词：光波导 Er∶Al2O3薄膜 PL特性 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]