聚酰亚胺电容式湿度传感器的研制及改进  

Research and Development of Polyimide Capacitive Humidity Sensor

作　　者：曾欢欢[1,2] 赵湛[1] 王奇[1] 方震[1] 张博军[1] 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100080 [2]中国科学院研究生院,北京100039

出　　处：《中国机械工程》2005年第z1期196-199,共4页China Mechanical Engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90207006);中国科学院微系统创新资助项目

摘　　要：聚酰亚胺(PI)电容式湿度传感器的新型设计简化了工艺流程,避免引线台阶式引出时可能出现的脱落、断裂等问题;改进了温度补偿电极的位置及结构;分析了平板式电容式传感器的等效电路及简化条件,以及PI薄膜的厚度与亚胺化温度对吸湿性能的影响.研究了反应离子刻蚀(RIE)对完成电极腐蚀后的芯片进行高选择比的各向异性刻蚀及对湿度响应的影响,结果表明增大了PI与周围环境的接触面积,提高了响应速度.

关 键 词：湿度传感器 聚酰亚胺(PI) 电容式 反应离子刻蚀(RIE) 边缘效应 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]