ZnO上肖特基接触的研究进展  

Latest Progress of Schottky Contacts Fabricated on ZnO Substrates

作　　者：方亮[1] 董建新[1] 张淑芳[1] 张文婷[1] 彭丽萍[1] 吴芳[1] 孔春阳[2] 

机构地区：[1]重庆大学应用物理系 [2]重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆400047

出　　处：《真空科学与技术学报》2008年第2期126-132,共7页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：教育部新世纪优秀人才支持计划(No.NCET-05-0764);重庆市科技攻关(No.CSTC2005AA4006-A6);重庆市自然科学重点基金项目(No.CSTC2005BA4016);重庆大学研究生创新基金(No.200801A1B0060265)

摘　　要：由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接触性能等因素,如表面处理和退火等进行了分析与归纳。同时,对p型ZnO上难以获得肖特基接触的原因进行了讨论。另外,由于Au、Pt等金属普遍存在热稳定差的问题,会降低ZnO基大功率器件的寿命,寻找能与n型ZnO能形成高热稳定性、低泄露电流、高势垒高度的肖特基接触材料是未来ZnO上肖特基光电器件的发展方向。The latest progress in fabrication technologies of Schottky contacts on n-type ZnO substrates,with high density of intrinsic donor defects,including oxygen vacancies,zinc interstitials,and residual hydrogen,was tentatively analyzed and reviewed.The discussions highlight comparisons of metallization of ZnO with gold,platinum,palladium,and silver,the influence of ZnO surface modification and annealing on the contact characteristics,and the possible reasons behind the existing technical problems in Schottky co...

关 键 词：ZNO 肖特基接触 泄露电流 理想因子 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]