钨酸镉单晶的坩埚下降法生长  

GROWTH OF CdWO_4 SINGLE CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGMAN TECHNIQUE

作　　者：肖华平[1] 陈红兵[1] 徐方[1] 蒋成勇[1] 杨培志[2] 

机构地区：[1]宁波大学材料科学与工程研究所宁波市新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地,浙江宁波315211 [2]昆明物理研究所,昆明650223

出　　处：《硅酸盐学报》2008年第5期617-621,共5页Journal of The Chinese Ceramic Society

基　　金：浙江省科技攻关(2005C31029);宁波市自然科学基金(2007A610025);宁波市博士科学基金(2005A610022)资助项目

摘　　要：以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料。采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1 400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5 mm/h。生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40 mm×70 mm。用X射线衍射、透射光谱和X射线激发发射光谱等进行了单晶性能的表征。结果表明:CdWO4单晶具有良好的晶格完整性;单晶的吸收边位于325 nm左右,在380～900 nm区域的光透过率达70%左右。CdWO4单晶X射线激发发射光的峰值波长位于470 nm。Using high purity CdO and WO3 as raw materials,CdWO4 polycrystalline materials were synthesized by solid-state reac-tion.The CdWO4 single crystals were grown by the vertical Bridgman technique.The crystal growth parameters includes: a furnace temperature of 1 350-1 400 ℃,the temperature gradient of across solid-liquid interface of 30-40 ℃/cm and a crucible lowering rate of 0.5-1.5 mm/h.A transparent CdWO4 crystal with a size of φ 40mm × 70 mm was grown successfully by the vertical Bridgman tech-nique.The cr...

关 键 词：闪烁晶体 钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法 

分 类 号：O782[理学—晶体学]