隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究  

Thermal Relaxation Accumulating Analysis of Tunnel Regeneration Semiconductor Laser

作　　者：张蕾[1] 崔碧峰[1] 沈光地[1] 郭伟玲[1] 刘斌[1] 王智群[1] 

机构地区：[1]北京工业大学光电子技术实验室

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第1期91-94,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);国家“863”计划(批准号:2004AA311030);十五国家科技攻关项目(批准号:2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221);北京市教委项目(批准号:kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504)

摘　　要：针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入电流占空比的增加而增加,热弛豫积累时间小于200ms。芯片内部温度分布表明,靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度,但温度差较小,热效应造成的波长漂移不会造成双峰现象。实验测量了在相同的边界条件下,不同占空比下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。Heat source of tunnel regeneration semiconductor laser has been discussed.Thermal relaxation accumulating process and thermal homeostasis distribution of tunnel regeneration semiconductor laser with two active regions are simulated by using the finite element method at different current pulse work with constant temperature boundary conditions.It is found that thermal relaxation accumulating time and the thermal homeostasis temperature also increase with the increasing of the injecting current pulse temperat...

关 键 词：半导体激光器 热弛豫积累 隧道再生 两有源区 占空比 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]