基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计  

A Design of 12 GHz Silicon Monolithic RF Front-End Receiver

作　　者：马建国[1] 韩磊[2] 谢李萍[1] 汪金铭[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子工程学院,成都610054 [2]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054

出　　处：《电子科技大学学报》2006年第S1期638-641,共4页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

摘　　要：提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统,该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器,所有的电路都集成在硅材料工艺中,可以用于频率在12GHz的卫星通信频段信号的接收。A 12 GHz monolithic silicon bipolar receiver for digital video broadcasting via satellite(DVB-S) is presented.The receiver is based on a superheterodyne architecture.Which include Low Noise Amplifier(LNA), Mixer and second LNA(LNA2).All circuits are fabricated in Si process.This work reports the 12-GHz DVB-S monolithic receiver integrated in a low-cost silicon bipolar technology.

关 键 词：射频前端系统 硅 低噪声放大器 混频器 第二级低噪声放大器 本振 

分 类 号：TN492[电子电信—微电子学与固体电子学]