纳米电子器件及其集成  

Nano Electrical Devices and Integration

作　　者：刘明[1] 陈宝钦[1] 谢常青[1] 王丛舜[1] 龙世兵[1] 徐秋霞[1] 李志钢[1] 易里成荣[1] 涂德钰[1] 商立伟[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成实验室,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期7-10,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60276019,90207004,60236010,60290081)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302706)资助项目

摘　　要：对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.

关 键 词：自上而下的纳米加工 纳米器件 单电子器件 共振器件 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]