自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性  

Room Temperature Resonant Tunneling and Negative Differential Resistance Effects in a Self-Assembed Si Quantum Dot Array

作　　者：余林蔚 陈坤基 宋捷 王久敏 王祥 李伟 黄信凡 

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期15-19,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)和国家自然科学基金(批准号:90101020,90301009,10174035)资助项目 Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No. 2001CB610503) and the National Natural Science Foundation of China(Nos.90101020,90301009,10174035)

摘　　要：报道了自组装Si量子点(Si-QDs)阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性.在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/SiO2/Si-QDs/SiO2/Substrate双势垒结构.通过原子力显微镜和透射电子显微镜检测,证实所获得的Si-QDs阵列中Si量子点平均尺寸为6nm,并具有较好的尺寸均匀性(小于10%).在对样品的室温I-V和C-V特性的测量中,直接观测到由于Si量子点中分立能级而引起的共振隧穿和充电效应:I-V特性表现出显著的"微分负阻特性(NDR)";而CV特性中也同样观测到位置相对应、结构相似的峰结构,从而证实了I-V和C-V特性中的峰结构都同样来源于电子与Si量子点阵列中分离能级之间的共振隧穿和充电过程.进一步研究发现,Si量子点阵列中共振隧穿和NDR特性所特有"扫描方向"和"速率"依赖性及其机制,与量子阱的情况有所不同.通过所建立的主方程数值模型,成功地解释并重复了Si量子点阵中共振隧穿所特有的输运特性.

关 键 词：Si量子点阵列 NDR 共振隧穿 

分 类 号：TN304.1+2[电子电信—物理电子学]