检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:吴月花[1] 李志国[1] 刘志民[1] 吉元[1] 胡修振[1] 廖京宁[1]
机构地区:[1]北京工业大学电控学院,北京,100022 北京工业大学电控学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学电控学院,北京,100022 北京工业大学电控学院,北京,100022
出 处:《Journal of Semiconductors》2006年第z1期403-406,共4页半导体学报(英文版)
基 金:国防科技重点实验室资助项目
摘 要:采用二维面探测器X射线衍射(XRD)测量1μm和0.5μm厚Al互连线退火前后的残余应力.沉积态Al线均为拉应力,且随膜厚的增加而减小.沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力,表面法线方向应力最小.250℃退火2.5h后,互连线在各方向上的应力都减弱,其中1μm Al线应力减弱幅度高于0.5μm互连线.采用电子背散射衍射(EBSD)方法,测量退火前后Al互连线(111),(100),(110)取向晶粒的IQ值.退火后平均IQ值提高,互连线残余内应力随之减小.EBSD分析结果与XRD应力测试结果相符合.
关 键 词:二维面探测器XRD EBSD 残余应力 IQ值 退火温度
分 类 号:TN385[电子电信—物理电子学]
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