溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光  

Photoluminescence Characterization of HfON : Tb Films with Sputtering

作　　者：蒋然[1] 谢二庆[1] 贾昌文[1] 林洪峰[1] 潘孝军[1] 李晖[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期169-171,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.

关 键 词：氮氧化铪 光致发光 能量转换 溅射 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]