HfOxNy栅介质薄膜的电学特性  

Electrical Properties of HfOxNy Gate Dielectrics

作　　者：蒋然[1] 谢二庆[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期172-174,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.

关 键 词：HfOxNy 溅射 空间电荷限制电流 离子跳跃电导 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]