三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较  

Characteristics Comparison of AlGaN/GaN HFET for Three Variant Vertical Structure

作　　者：吕长志[1] 冯士维[1] 王东凤[1] 张小玲[1] 谢雪松[1] 何焱[1] 张浩[1] 徐立国[1] 袁明文[2] 李效白[2] 曾庆明[2] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期155-157,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.

关 键 词：ALGAN/GAN HFET 倒置结构 双异质结 

分 类 号：TN325[电子电信—物理电子学]