圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律  

Kinetics of Growth of AlAs/AlGaAs Oxide in Cylindrical Mesa

作　　者：董立闽[1] 郭霞[1] 渠红伟[1] 邓军[1] 杜金玉[1] 邹德恕[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期281-284,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60276033,69889601),国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312070)及国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683-02)资助项目

摘　　要：AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.

关 键 词：VCSEL ALGAAS 湿法氧化 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]