铋层状结构压电材料的掺杂改性研究  

Study on Cation Doping of Piezoelectric Ceramics with Bismuth Layered Structure

作　　者：李永祥[1] 杨群保[1] 曾江涛[1] 易志国[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所.高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2005年第S1期231-235,共5页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基　　金：国家"863"计划基金(2001AA325070);国家"973"计划基金(2002CB613307)

摘　　要：作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3+部分替代Bi3+或者Ca2+,以及用V5+和W6+取代部分B位的Ti4+的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.Nd 3+ doping with A-site cation vacanciesand V 5+ (W 6+ ) doping with B-site cation vacancies of bismuth layer-structuredferroelectric (BLSF) cesamics,CaBi_ 4 Ti_ 4 O_ 15 ,were investigated, using solid-state reaction method.The results showed that, both A-site and B-site cation doping increased remnant polarization, decreased the coercive field, and then enhanced the piezoelectricity of CaBi_ 4 Ti_ 4 O_ 15 ceramics. The soluble content in A-sites is higher than that in B-sites, so better ferroelectricity a...

关 键 词：铋层状铁电材料 CaBi_4Ti_4O_(15) 掺杂改性 压电性能 

分 类 号：TM22[一般工业技术—材料科学与工程]