Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的取向生长及其铁电介电特性研究  

Orientation Dependences of Ferroelectric and Dielectric Properties of Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) Thin Films

作　　者：乔燕[1] 陈晓琴[1] 祁亚军[1] 卢朝靖[1] 朱劲松[2] 

机构地区：[1]湖北大学物理学与电子技术学院 [2]南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2005年第S1期175-177,共3页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金;教育部优秀青年师资科研资助基金;湖北省杰出青年人才基金;湖北省重大科研项目资助基金

摘　　要：用sol-gel工艺直接在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备出了a轴择优取向(α(100)=62%)和高c轴取向(α(100)=96%)的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)薄膜.发现BNdT薄膜的铁电介电性能强烈依赖于晶粒取向.a轴择优取向BNdT薄膜的2Pr和εr值最高,分别为65μC/cm2和343(100kHz处);随机取向薄膜的2Pr和εr值为34μC/cm2和331;而高c轴取向薄膜的2Pr和εr值最低,分别为23μC/cm2和218.上述结果表明,BNdT的自发极化矢量靠近a轴.纯a轴取向BNdT薄膜的2Pr值可估算为84μC/cm2.Polycrystalline Bi_ 3.15 Nd_ 0.85 Ti_3O_ 12 (BNdT) thin films of a-axis preferential orientation (α_ (100) )=62%) and high c-axis orientation (α_ (001) =96%) were fabricated directly on Pt/Ti/SiO_2/Si substrates through a sol-gel process. The authors observed strong dependences of ferroelectric and dielectric properties on the film orientation, with a remanent polarization 2Pr of 65 μC/cm2 and dielectric constant (r of 343 at 100 kHz in the a-axis oriented film; 2Pr of 34 μC/cm2 and ε_r of 331 in the film o...

关 键 词：Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 铁电 薄膜 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]