基于分子模拟的二氧化硅介电常数温度特性规律的研究  

Study on Dielectric Property with Temperature Based on the Molecule Simulation Technique

作　　者：谢小军[1] 成永红[1] 崔浩[1] 陈小林[1] 冯武彤[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2005年第S1期100-104,共5页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

摘　　要：作者将分子模拟技术应用于材料介电性能研究中,以了解介电常数随温度变化规律的问题,从而有效地分析相关的微观结构特性.首先利用分子动力学对微观结构模型进行恒温下的分子动力学计算,然后对于该动力学结构模型再进行第一性原理计算,得到该温度下能带结构和介电常数等.通过改变分子动力学设定的温度,得到不同温度下材料微观结构的变化情况以及介电常数随温度的变化规律.作者分析了二氧化硅晶体微观结构和介电常数之间的关系,得到费米能量、禁带宽度和晶胞体积成反比关系的规律,建立了二氧化硅晶体介电常数和温度之间的关系.Molecule simulation technique has introduced to research dielectric property in order to solve the difficulties in measuring dielectric property under different temperature and analyzed the relationship between microstructure and dielectric property. Firstly, 3D model of silicon dioxide was put in calculation of molecule dynamics simulation with a definitive temperature. Then constant temperature microstructure model of silicon dioxide has been obtained.Secondly, first-principles simulation has executed to ...

关 键 词：介电常数 分子模拟 分子动力学 第一性原理 微观结构 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]