无铅压电陶瓷的晶格缺陷对压电性能影响研究  

作　　者：李国荣[1] 赵苏串[1] 张丽娜[1] 王天宝[1] 丁爱丽[1] 殷庆瑞[1] 董元丰[2] 陶峰[2] 张火荣[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 [2]浙江嘉康电子有限公司

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2005年第S1期25-28,共4页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基　　金：中国科技部"973"计划项目(2002CB1337);国家"863"计划项目(2001AA325070);浙江嘉康电子有限公司资助基金

摘　　要：无铅压电陶瓷中,绝大部分是以三价铋取代二价铅的含铋无铅压电陶瓷.含铋压电陶瓷与有铅压电陶瓷相比,在烧结时出现的液相温度比含铅陶瓷低,陶瓷烧结温度也比含铅压电陶瓷低;铋容易挥发,陶瓷晶粒中易出现氧空位;三价铋的极化率虽然与二价铅的相当,但其结构对称性下降,晶体的各向异性大,90°电畴不易随电场取向,因而压电性能不如含铅陶瓷相变.作者主要是对含铋无铅压电陶瓷中由于铋挥发引起的晶格缺陷偶极子,它们在电场作用下的取向排列对压电性能影响进行了研究.

关 键 词：钛酸铋钠 钛酸铋钾 无铅压电陶瓷 晶格缺陷 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]