硅基集成电路的发展及其面临的挑战  

Development and facing challenges of silicon-based integrated circuits

作　　者：方志鸣[1] 

机构地区：[1]黄山学院物理系,安徽黄山245021

出　　处：《合肥工业大学学报（自然科学版）》2004年第11期1485-1488,共4页Journal of Hefei University of Technology：Natural Science

基　　金：安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2000jl235)

摘　　要：文章跟踪微电子技术的发展对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题及研究成果进行综述评论,。这些问题包括Cu/低ε介质互连系统、CMOS器件运作的内在结构及电接触问题、高ε栅极氧化物材料、SOI、SiGe、SiGe-OI以及大直径硅单晶片等。微电子技术的发展已逼近微电子器件的物理极限,并将逐步发展到它的下一代——纳米电子器件,人类对物质世界的认识也将提高到一个新阶段。The development of the ultra large scale integrated-circuit(ULSI) is reviewed,and the problems related with the interconnection of Cu and low ε dielectric material, the structure of CMOS and electric contact, high ε dielectric oxide materials for MOS gates, SOI, SiGe, SiGe-OI and large diameter silicon wafers are discussed. Microelectronics is approaching the physical limit of microelectronic devices,and it is gradually going to the next stage—nanoelectronic devices.As a result,man's knowledge of nature is coming to a new age.

关 键 词：Cu/低ε互连系统 高ε栅极材料 绝缘层上的硅(SOI) 

分 类 号：TN350[电子电信—物理电子学]