平面光波回路用均匀折射率厚SiO2膜制备技术研究  

作　　者：李健[1] 安俊明[1] 郜定山[1] 夏君磊[1] 李建光[1] 王红杰[1] 胡雄伟[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083

出　　处：《光电子．激光》2004年第z1期186-187,共2页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家重点基础研究发展规划(G2000036602)、国家高技术研究发展计划(2002AA312260)和国家自然科学基金资助项目(69889701)资助项目

摘　　要：通过优化多孔硅氧化工艺制备了高质量的均匀折射率厚SiO2薄膜,该方法具有高效、低成本的显著优点.通过高倍光学显微观察与棱镜耦合仪分析得到:多孔硅氧化形成的SiO2膜厚度达到13μm且厚度均匀;折射率为1.444 8;折射率不均匀度小于0.0‰.

关 键 词：硅基二氧化硅 阳极氧化 光波导 折射率 

分 类 号：TN2[电子电信—物理电子学]