V2O5和TiO2在负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面的相互修饰作用  

作　　者：胡蓉蓉[1] 钟顺和[1] 王希涛[1] 

机构地区：[1]天津大学,化工学院,天津,300072 天津大学,化工学院,天津,300072 天津大学,化工学院,天津,300072

出　　处：《石油化工》2004年第z1期1185-1187,共3页Petrochemical Technology

基　　金：国家重大基础研究前期研究专项资助项目(2001CCA03600).

摘　　要：采用表面改性法制备了负载型复合半导体材料V2O5-TiO2/SiO2,用X射线衍射、比表面测定、拉曼光谱、程序升温还原、紫外可见漫反射等技术对固体材料的结构和光响应性能进行了表征.结果表明,V2O5-TiO2/SiO2表面存在着高度分散的V2O5和TiO2微晶,它们之间有一定相互修饰的作用.TiO2则有助于提高V2O5在载体表面的分散程度,抑制VOx聚合,减少V2O5微晶的尺度,而V2O5能扩展TiO2的光响应范围,使TiO2的吸光区域由原来的紫外光区拓宽至可见光区域,提高了复合半导体对光能的利用率.

关 键 词：表面改性法 复合半导体 光催化 吸光性 分散度 能隙值 

分 类 号：TQ426.82[化学工程]