Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片抗光损伤的研究  

Study on photodamage resistance of Mg:Er:LiNbO3 waveguide substrate

作　　者：夏宗仁[1] 徐朝鹏[1] 郑威[1] 徐玉恒[1] 

机构地区：[1]CETC中电科技,德清华莹电子有限公司,浙江,德清,313216 哈尔滨工业大学,电子科学与技术系,黑龙江,哈尔滨,150001 哈尔滨工业大学,应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001 哈尔滨工业大学,应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001

出　　处：《功能材料》2004年第z1期468-470,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家973计划资助项目(G19990330);国家863计划资助项目(2001AA30304)

摘　　要：以Czochralski技术生长Mg(2mol%):Er(1mol%):LN,Mg(4mol%):Er(1mol%):LN,Mg(6mol%):Er(1mol%):LN,Mg(8mol%):Er(1mol%):LN和Er(1mol%):LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO3晶体的红外光谱,Mg(2mol%):Er:LN,Mg(4mol%):Er:LN OH-吸收峰在3486cm-1附近,Mg(6mol%):Er:LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体OH-吸收峰移动到3535cm-1附近,对Mg:Er:LN晶体OH-吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试Mg:Er:LN晶体光损伤阈值.Mg(6mol%):Er(1mol%):LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体光损伤阈值比Er:LN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol%):Er:LN和Mg(4mol%):Er:LN晶体比Er(1mol%):LN晶体提高一个数量级.

关 键 词：Mg:Er:LN晶体 波导基片 光损伤 

分 类 号：O731[理学—晶体学]