检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:钟智勇[1] 石玉[1] 刘颍力[1] 贾利军[1] 张怀武[1]
机构地区:[1]电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
出 处:《功能材料》2004年第z1期513-516,共4页Journal of Functional Materials
基 金:四川省杰出青年基金资助项目;电子科技大学青年基金资助项目
摘 要:巨磁阻抗效应的应用需要传感器具有好的线性度和高的灵敏度,实现非对称巨磁阻抗效应可以使传感器在零场附近提高灵敏度和改善线性度.本文对近年来非对称巨磁阻抗效应的研究进展进行了综述,并分析了其产生的机理.
关 键 词:非对称巨磁阻抗效应 交换耦合 非晶磁性材料 磁传感器
分 类 号:TM27[一般工业技术—材料科学与工程]
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