两种HDDR工艺过程相变机制的探讨  

Study of phase transforrmation between two HDDR processes

作　　者：仝成利[1] 孙爱芝[1] 韩景智[1] 肖耀福[1] 

机构地区：[1]北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 北京大学物理学院,北京,100871 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

出　　处：《功能材料》2004年第z1期718-720,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家"863"计划新材料领域资助项目(2001AA324016)

摘　　要：对两种典型的工艺过程(V-HDDR和d-HDDR)进行了对比,发现采用d-HDDR工艺能够制得磁性能更好的各向异性NdFeB磁粉,而且如果在V-HDDR工艺过程中采用与d-HDDR工艺同样的低氢压进行歧化处理时,完全歧化所需的时间要远远长于d-HDDR工艺.d-HDDR工艺使得NdFeB材料的歧化-再复合相变过程更加稳定、易控,更利于高矫顽力的获得.这一现象可以用冶金动力学中的物理模型加以描述.V-HDDR工艺的歧化过程,可以用收缩未反应核模型加以描述,d-HDDR工艺过程可用颗粒模型来描述其与氢的歧化反应.

关 键 词：HDDR 各向异性 NDFEB 收缩未反应核模型 颗粒模型 

分 类 号：TM273[一般工业技术—材料科学与工程] TG132.2[电气工程—电工理论与新技术]