制备工艺对PAR电双稳薄膜电特性的影响  

Influence of preparation process on electrical properties of PAR electrical bi-stable thin film

作　　者：谢亨博[1] 蒋益明[1] 郭峰[1] 万星拱[1] 李劲[1] 

机构地区：[1]复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1024-1027,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10374015);"973"计划资助项目(2002CB613504);上海市纳米专项基金资助项目(0259nm089)

摘　　要：采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构.详细研究了薄膜厚度、电极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响.结果表明,采用适当的工艺,能够获得性质均匀、电特性良好的电双稳薄膜(转变电压的分散性小于10%,延迟时间基本小于5μs,转变时间在20ns左右).Al/PAR/Al结构可以简单等效为电阻与电容的并联,而退火与自然放置将使薄膜结构趋于稳定.

关 键 词：PAR薄膜 电双稳 制备工艺 

分 类 号：O484.42[理学—固体物理]