Al-Cu合金中θ相的价电子结构分析  

Electron structure of θ (Al2Cu) in Al-Cu alloy

作　　者：高英俊[1,2] 黄创高[1] 王态成[1] 蓝志强[1] 韦银燕[1] 

机构地区：[1]广西大学,物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004 [2]中国科学院,国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016广西大学,物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004广西大学,物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004广西大学,物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004广西大学,物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1103-1106,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50061001);广西科学基金资助项目(桂科配0135006,桂科自0007020,桂科基0342004-1);广西"十百千人才工程"资助项目(2001207)

摘　　要：运用经验电子理论(EET)对Al-Cu合金薄膜析出相θ(Al2Cu)的价电子结构进行计算.结果表明θ相中的Cu-Cu键最强,其次为Al-Cu键,它们的强度都比金属Cu的最强Cu-Cu键要强.Al-Cu合金薄膜互连线的电迁移寿命与在基体晶粒中析出具有强的共价键络的θ相紧密相关.θ相的析出提高了合金强度,延长了合金电迁移寿命.

关 键 词：AL-CU合金 θ(Al2Cu) 电子结构 热稳定性 电迁移 

分 类 号：TG111.1[金属学及工艺—物理冶金]