KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究  

Study on the broadening effect of KDP/KD*P single crystals

作　　者：李云南[1] 房昌水[1] 孙洵[1] 顾庆天[1] 王圣来[1] 王坤鹏[1] 王波[1] 刘冰[1] 张建芹[1] 

机构地区：[1]山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东济南250100

出　　处：《功能材料》2004年第z1期175-177,180,共4页Journal of Functional Materials

摘　　要：目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个:溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.

关 键 词：柱面扩展 生长习性 透过率 KDP晶体 

分 类 号：O782[理学—晶体学]